希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件。

      公司位于苏州纳米城三区第三代半导体产业园，占地面积五千平米。创始团队拥有15年以上的碳化硅外延片量产经验，凭借业内最先进的外延工艺技术和最先进的生产测试设备，为客户提供低缺陷率和高均匀性要求的6寸/8英寸导电型碳化硅外延晶片。公司成立以来，先后实现了多项外延工艺创新和核心装备的国产化替代，荣获江苏省双创人才、姑苏创新创业领军人才、苏州市独角兽培育企业、苏州工业园区领军人才等重大奖项，未来将不断提高研发水平，全力扩大市场份额，快速成长为一家具有持续研发创新能力、技术领先并推动整个产业技术进步的标杆企业。